技术背景：异质结（HJT）太阳能电池采用超薄N型单晶硅片（厚度≤100μm），其制绒工艺需在表面形成0.8-1.2μm的纳米级绒面结构以提升光吸收效率。传统化学腐蚀法在薄片处理中存在两大痛点：1）氢氟酸/硝酸体系易引发微裂纹，碎片率高达3%；2）制绒均匀性波动超过±15%，导致串联电阻升高（＞1.5Ω·cm²），电池效率损失0.8%以上。
需解决技术问题：开发低温（＜40℃）等离子体辅助制绒技术，在保证绒面金字塔尺寸（0.3-0.5μm）的同时，消除硅片机械应力损伤。需突破反应腔室的气流场均匀性（＜5%偏差）与等离子体密度分布（＞80%均匀度）的耦合控制，实现单面刻蚀速率偏差＜8%，同时维持表面复合速率＜100cm/s。