超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术北京市重点实验室2016年12月由北京市科委认定，依托中国科学院微电子研究所，金智研究员任主任。
实验室现有成员30余人，含中国工程院院士1人（吴德馨院士）、研究员4人、副研究员19人、高级工程师5人，18人具有海外留学工作经历，含中科院百人计划3人。
实验室面向5G基站对超高频、大功率器件的应用需求，重点开展毫米波GaN功率器件和电路、InP基三端电子器件和毫米波电路、超高频化合物数模混合电路、超高频化合物基CMOS器件和电路四个方向研究。在国内率先研发成功满足W波段（75-110GHz）毫米波电路需求的InP基异质结双极晶体管（DHBT）。承担国家级重大科研项目12项，牵头国家03专项"5G总体及关键器件（2016ZX030001）"，在研项目经费超2亿元。

1. 5G高频芯片研发
提供基于化合物半导体的5G基站宽带、高频、高功率关键芯片研发服务，包括毫米波GaN功率器件和电路、InP基三端电子器件和毫米波电路。
2. 超高频器件研制
开展W波段（75-110GHz）InP基异质结双极晶体管（DHBT）等超高频器件研制，满足5G毫米波电路需求。
3. 集成电路设计
提供超高频化合物数模混合电路、超高频化合物基CMOS器件和电路的设计与集成技术服务。
4. 技术成果转化
推动化合物半导体器件和电路5G基站方向产业化，带动相关产业发展。
5. 科研合作与人才培养
承担国家级重大科研项目合作，培养具有国际水平的集成电路领域创新人才。