集成电路先导装备技术实验室于2020年9月由中关村管委会认定，依托中国科学院微电子研究所建设，现任主任李超波研究员。实验室拥有资深装备技术专家6名、高级研发工程师12名，均拥有5年以上本领域研发或生产经验，涵盖集成电路工艺与装备、机械及软硬件研发的丰富经验。 领衔专家李超波：博士研究生学历，博士生导师，研究员，仪器设备研发中心主任，中科院青联委员，国家级相关领域战略规划编制专家。长期从事集成电路先导装备技术及应用研究，主持等离子体注入、刻蚀、薄膜生长装备和真空测量系统研制，获北京市、中国电子学会和中关村管委会奖励。"十三五"战略高技术主题专家、中国集成电路检测与测试创新联盟秘书长、中国集成电路零部件创新联盟理事。 领衔专家解婧：女，博士研究生学历，硕士生导师，副研究员，中国科学院大学岗位教授。长期开展微等离子体基先进微纳制造技术及相关材料装备研究。
实验室致力于开展面向28nm及以下集成电路前沿装备技术、关键核心零部件的研究，主要提供以下服务：
1、集成电路制造技术研发：开展基于等离子体的集成电路制造技术、微系统制造技术与装备、微电子与多学科创新交叉融合的颠覆性研究；
2、装备及零部件技术：研发等离子体浸没离子注入、等离子刻蚀、薄膜生长、光学检测等装备及半导体高精度真空测量、射频发生器等关键核心零部件；
3、平台服务：拥有800平米先导装备技术与工艺研究净化实验室和研发中心，形成了集加工、检测手段于一体的微细加工与测试平台，与数十家单位开展深度合作。
实验室先后承担国家科技重大专项、中科院前沿技术研究等重大任务，申请授权专利100余项，成果获得北京市、中国电子学会和中关村管委会多项奖励。
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